公金の流れを追う：国の予算事業は誰にいくら払っているか
各府省庁は毎年、予算事業ごとに「行政事業レビューシート」を公表し、主な支出先（企業・団体・自治体）を法人番号・金額つきで、多くは個々の契約（契約方式・入札者数・落札率）まで開示しています。その公開データを取り込み、事業から支出先へ、そして各企業ページでは企業から「その企業に支払った事業」へたどれるようにしました。入札の落札実績（調達）を、補助金・委託費・交付金まで含めて補完します。
収録：148,679 支出先行 ・ 26,535 社 ・ 9,996 事業 ・ シート年度 2025, 2024（シート年度は前年度の執行を記載）。月次で更新確認。
金額の読み方
- 金額は円単位で、各事業のブロックごとに府省庁が報告した値です。支出先には資金を再配分する中間団体（独法・基金・都道府県）が含まれるため、事業をまたいで単純合算しないでください。
- ブロックごとの主な支出先のみです（小口は「その他」に集約）。
- 出典：行政事業レビュー見える化サイト（内閣官房）、公共データ利用規約1.0。LoreaTecが編集・加工した抜粋であり、政府の原本ではありません。
革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業
文部科学省 ・ 研究開発局 ・ シート年度 2025（2024年度執行）・ 予算事業ID 1684 ・ 44 支出先 ・ 合計 18.4億円
| ブロック | 支出先 | 種別 | 所在地 | 金額 |
|---|---|---|---|---|
| A 国立大学法人東北大学 ほか | 国立大学法人東北大学 次世代半導体パワーデバイスを用いて、従来よりも超省エネ・高性能なパワー制御技術の原理実証 | その他の設立登記法人 | 宮城県 | 2.2億円 |
| A 国立大学法人東北大学 ほか | 東京都公立大学法人 次世代半導体パワーデバイスを用いて、従来よりも超省エネ・高性能なパワー制御技術の原理実証 | その他の設立登記法人 | 東京都 | 5,876万円 |
| B 国立大学法人東海国立大学機構 | 国立大学法人東海国立大学機構 GaN等の優れた半導体材料特性を実現するパワーデバイスの研究開発 | その他の設立登記法人 | 愛知県 | 5.1億円 |
| C 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ほか | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 発熱（ロス）が少なく小型なコイル（磁性材料）やコンデンサなどの材料の研究開発 | その他の設立登記法人 | 茨城県 | 2.0億円 |
| C 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ほか | 国立大学法人信州大学 発熱（ロス）が少なく小型なコイル（磁性材料）やコンデンサなどの材料の研究開発 | その他の設立登記法人 | 長野県 | 1.1億円 |
| C 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ほか | 国立大学法人北海道大学 発熱（ロス）が少なく小型なコイル（磁性材料）やコンデンサなどの材料の研究開発 | その他の設立登記法人 | 北海道 | 4,172万円 |
| D 国立大学法人千葉大学 ほか | 国立大学法人大阪大学 将来的にパワエレ機器や革新的なエネルギーデバイスへの応用を目指す次々世代の要素技術の戦略的開発 | その他の設立登記法人 | 大阪府 | 4,290万円 |
| D 国立大学法人千葉大学 ほか | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 将来的にパワエレ機器や革新的なエネルギーデバイスへの応用を目指す次々世代の要素技術の戦略的開発 | その他の設立登記法人 | 東京都 | 3,773万円 |
| D 国立大学法人千葉大学 ほか | 国立大学法人千葉大学 将来的にパワエレ機器や革新的なエネルギーデバイスへの応用を目指す次々世代の要素技術の戦略的開発 | その他の設立登記法人 | 千葉県 | 2,551万円 |
| D 国立大学法人千葉大学 ほか | 国立大学法人東海国立大学機構 将来的にパワエレ機器や革新的なエネルギーデバイスへの応用を目指す次々世代の要素技術の戦略的開発 | その他の設立登記法人 | 愛知県 | 2,366万円 |
| D 国立大学法人千葉大学 ほか | 国立大学法人東北大学 将来的にパワエレ機器や革新的なエネルギーデバイスへの応用を目指す次々世代の要素技術の戦略的開発 | その他の設立登記法人 | 宮城県 | 1,977万円 |
| E 株式会社三菱総合研究所 ほか | 株式会社三菱総合研究所 各研究の連携を支援するとともに、諸外国の研究動向をリアルタイムで調査し、事業運営委に反映 | 株式会社 | 東京都 | 5,372万円 |
| F 国立大学法人筑波大学 ほか | 国立大学法人筑波大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 茨城県 | 2,795万円 |
| F 国立大学法人筑波大学 ほか | 国立大学法人横浜国立大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 神奈川県 | 2,496万円 |
| F 国立大学法人筑波大学 ほか | 国立大学法人茨城大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 茨城県 | 2,400万円 |
| F 国立大学法人筑波大学 ほか | 学校法人早稲田大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 東京都 | 1,600万円 |
| G 富士電機株式会社 ほか | 富士電機株式会社 参画機関として、担当部分の研究を実施 | 株式会社 | 神奈川県 | 4,550万円 |
| G 富士電機株式会社 ほか | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 茨城県 | 2,600万円 |
| G 富士電機株式会社 ほか | 国立大学法人大阪大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 大阪府 | 1,560万円 |
| G 富士電機株式会社 ほか | 国立大学法人東北大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 宮城県 | 1,400万円 |
| G 富士電機株式会社 ほか | 国立大学法人北海道大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 北海道 | 1,300万円 |
| G 富士電機株式会社 ほか | 国立大学法人筑波大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 茨城県 | 910万円 |
| G 富士電機株式会社 ほか | 学校法人名城大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 愛知県 | 715万円 |
| G 富士電機株式会社 ほか | 株式会社豊田中央研究所 参画機関として、担当部分の研究を実施 | 株式会社 | 愛知県 | 704万円 |
| H 国立大学法人東北大学 ほか | 国立大学法人東北大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 宮城県 | 7,631万円 |
| H 国立大学法人東北大学 ほか | 東京都公立大学法人 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 東京都 | 2,500万円 |
| H 国立大学法人東北大学 ほか | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 東京都 | 1,800万円 |
| H 国立大学法人東北大学 ほか | 株式会社トーキン 参画機関として、担当部分の研究を実施 | 株式会社 | 大阪府 | 1,400万円 |
| H 国立大学法人東北大学 ほか | 学校法人東京理科大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 東京都 | 1,300万円 |
| H 国立大学法人東北大学 ほか | 国立大学法人京都大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 京都府 | 1,100万円 |
| H 国立大学法人東北大学 ほか | 国立大学法人大阪大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 大阪府 | 1,000万円 |
| H 国立大学法人東北大学 ほか | 国立大学法人山梨大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 山梨県 | 845万円 |
| H 国立大学法人東北大学 ほか | 国立大学法人九州工業大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 福岡県 | 832万円 |
| H 国立大学法人東北大学 ほか | 日本ケミコン株式会社 参画機関として、担当部分の研究を実施 | 株式会社 | 東京都 | 784万円 |
| H 国立大学法人東北大学 ほか | 国立大学法人名古屋工業大学 参画機関として、担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 愛知県 | 600万円 |
| I 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ほか | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 参画機関として担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 東京都 | 2,041万円 |
| I 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ほか | 国立大学法人金沢大学 参画機関として担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 石川県 | 1,731万円 |
| I 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ほか | 慶應義塾 参画機関として担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 東京都 | 514万円 |
| I 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ほか | 国立大学法人千葉大学 参画機関として担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 千葉県 | 506万円 |
| I 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ほか | 国立大学法人筑波大学 参画機関として担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 茨城県 | 390万円 |
| I 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ほか | 学校法人東京理科大学 参画機関として担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 東京都 | 390万円 |
| I 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ほか | 学校法人関西学院 参画機関として担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 兵庫県 | 299万円 |
| I 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ほか | 国立大学法人東京科学大学 参画機関として担当部分の研究を実施 | その他の設立登記法人 | 東京都 | 100万円 |
| I 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ほか | 株式会社村田製作所 参画機関として担当部分の研究を実施 | 株式会社 | 京都府 | 33万円 |
この事業の契約明細
| 契約概要 | 契約先 | 契約方式 | 入札者 | 落札率 | 金額 |
|---|---|---|---|---|---|
| GaN等の優れた半導体材料特性を実現するパワーデバイスの研究開発 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 随意契約（企画競争） | 3 | 100.0% | 5.1億円 |
| 脱炭素社会実現に向けた集積化パワーエレクトロニクス | 国立大学法人東北大学 | 随意契約（企画競争） | 6 | 100.0% | 2.2億円 |
| 革新的パワーエレクトロニクスのための超低損失磁性材料の創成 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 随意契約（企画競争） | 4 | 100.0% | 2.0億円 |
| 磁気異方性軟磁性材料を用いた高周波・電力変換用トランス・インダクタの開発 | 国立大学法人信州大学 | 随意契約（企画競争） | 4 | 100.0% | 1.1億円 |
| 低損失・高Be磁性材料開発/損失データベース構築/損失可視化技術開発/中小電力用低損失磁性デバイス開発 | 国立大学法人東北大学 | その他 | — | — | 7,631万円 |
| SSTの高性能化に向けた回路・デバイス・制御技術の統合技術開発 | 東京都公立大学法人 | 随意契約（企画競争） | 4 | 100.0% | 5,876万円 |
| 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業における研究支援業務の実施 | 株式会社三菱総合研究所 | 随意契約（企画競争） | 1 | 100.0% | 5,372万円 |
| テスト用模型MOSFETを用いたしきい値変動現象メカニズム解明/DMOSFET | 富士電機株式会社 | その他 | — | — | 4,550万円 |
| 炭化ケイ素MOS界面科学に基づく革新的製造技術の基盤構築 | 国立大学法人大阪大学 | 随意契約（企画競争） | 14 | 100.0% | 4,290万円 |
| 次世代高電力密度パワエレ機器に向けた高性能コンデンサの研究開発 | 国立大学法人北海道大学 | 随意契約（企画競争） | 4 | 100.0% | 4,172万円 |
| 革新パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド半導体基盤技術検証 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 随意契約（企画競争） | 14 | 100.0% | 3,773万円 |
| 絶縁DC-DCコンバータの高性能化/SSTにおけるパワーフロー制御に関する研究開発 | 国立大学法人筑波大学 | その他 | — | — | 2,795万円 |
| TEM、3DAP解析/多光子顕微鏡解析/価電子帯端付近の界面準位の評価方法確立と各種絶縁膜の比較 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | その他 | — | — | 2,600万円 |
| GaNデバイスで拓く超高周波パワーコンバータの開発 | 国立大学法人千葉大学 | 随意契約（企画競争） | 14 | 100.0% | 2,551万円 |
| 損失データベース構築 | 東京都公立大学法人 | その他 | — | — | 2,500万円 |
| 高周波トランスの小型・高周波化の研究開発/高圧側AC-DCコンバータの研究開発 | 国立大学法人横浜国立大学 | その他 | — | — | 2,496万円 |
| EV応用基盤技術/中小要領ドライブ応用基盤技術/データセンタ電源応用基盤技術 | 国立大学法人茨城大学 | その他 | — | — | 2,400万円 |
| 次々世代パワエレ用受動素子の創製に向けた革新的高誘電率常誘電体の開発 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 随意契約（企画競争） | 14 | 100.0% | 2,366万円 |
| MOS界面科学の構築、新規MOS構造形成技術の探索 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | その他 | — | — | 2,041万円 |
| 高品質β-Ga2O3 単結晶育成のための AI 計算を用いた新規ルツボフリー結晶成長法の開発 | 国立大学法人東北大学 | 随意契約（企画競争） | 14 | 100.0% | 1,977万円 |
| 損失可視化技術開発 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | その他 | — | — | 1,800万円 |
| プレーナMOSFETに関する技術開発/VMOSFETに関する技術開発/真空スイッチの低オン抵抗化の検討 | 国立大学法人金沢大学 | その他 | — | — | 1,731万円 |
| 超高効率冷却システム技術/高密度実装技術 | 学校法人早稲田大学 | その他 | — | — | 1,600万円 |
| 価電子帯端付近の界面準位の評価方法確立と各種絶縁膜の比較 | 国立大学法人大阪大学 | その他 | — | — | 1,560万円 |
| 低損失・高Be磁性材料開発/中小電力用低損失磁性デバイス開発 | 株式会社トーキン | その他 | — | — | 1,400万円 |
| PL, TRPL, STRCL | 国立大学法人東北大学 | その他 | — | — | 1,400万円 |
| DMOS p-bodyのためのp型イオン注入技術の確立 | 国立大学法人北海道大学 | その他 | — | — | 1,300万円 |
| 損失可視化技術開発 | 学校法人東京理科大学 | その他 | — | — | 1,300万円 |
| モデリング技術開発 | 国立大学法人京都大学 | その他 | — | — | 1,100万円 |
| インダクタ、トランスの開発 | 国立大学法人大阪大学 | その他 | — | — | 1,000万円 |
| 陽電子消滅/価電子帯端付近の界面準位の評価方法確立と各種絶縁膜の比較 | 国立大学法人筑波大学 | その他 | — | — | 910万円 |
| コンデンサ試作と耐電圧評価およびPEDOT：PSS誘電体合成へのフィードバック | 国立大学法人山梨大学 | その他 | — | — | 845万円 |
| インバータ試験とモニタリング手法開発 | 国立大学法人九州工業大学 | その他 | — | — | 832万円 |
| 450V導電性高分子固体コンデンサのモデル評価、450Vポリマーコンデンサの試作・評価 | 日本ケミコン株式会社 | その他 | — | — | 784万円 |
| コンタクト技術 | 学校法人名城大学 | その他 | — | — | 715万円 |
| JETのためのp型イオン注入技術の確立/テスト用模型MOSFETを用いたしきい値変動現象のメカニズム解明 | 株式会社豊田中央研究所 | その他 | — | — | 704万円 |
| 中小電力用低損失磁性デバイス開発、低損失磁性デバイスのシステム実装評価 | 国立大学法人名古屋工業大学 | その他 | — | — | 600万円 |
| 新しい高誘電率誘電体の焼成プロセス開発 | 慶應義塾 | その他 | — | — | 514万円 |
| 新しい高誘電率誘電体による新型積層セラミックコンデンサ開発 | 国立大学法人千葉大学 | その他 | — | — | 506万円 |
| 回路応用による新技術の優位性実証 | 国立大学法人筑波大学 | その他 | — | — | 390万円 |
| 共振形コンバータの開発、設計ソフトウェアとその使いこなし技術の確立 | 学校法人東京理科大学 | その他 | — | — | 390万円 |
| 新規MOS構造形成技術の探索 | 学校法人関西学院 | その他 | — | — | 299万円 |
| 新しい高誘電率誘電体の設計と開発 | 国立大学法人東京科学大学 | その他 | — | — | 100万円 |
| 新しい高誘電率誘電体による新型積層セラミックコンデンサ開発 | 株式会社村田製作所 | その他 | — | — | 33万円 |
出典：行政事業レビュー見える化サイト（公共データ利用規約1.0）— LoreaTec BizSearch による編集抜粋。JSON API・一括データは データ・API をご覧ください。